一种提高SiC MOSFET在高开关速率下栅极电压稳定性的驱动电路

邵天骢,郑琼林,李志君,黄波,刘建强

PDF(1496 KB)
PDF(1496 KB)
电源学报 ›› 2021, Vol. 19 ›› Issue (4) : 6-15. DOI: 10.13234/j.issn.2095-2805.2021.4.6
SiC、GaN器件、新型功率器件及其应用

一种提高SiC MOSFET在高开关速率下栅极电压稳定性的驱动电路

    {{javascript:window.custom_author_cn_index=0;}}
  • {{article.zuoZhe_CN}}
作者信息 +

Drive Circuit for Enhancing the Gate Voltage Stability of SiC MOSFET at High Switching Rate

    {{javascript:window.custom_author_en_index=0;}}
  • {{article.zuoZhe_EN}}
Author information +
History +

本文亮点

{{article.keyPoints_cn}}

HeighLight

{{article.keyPoints_en}}

摘要

{{article.zhaiyao_cn}}

Abstract

{{article.zhaiyao_en}}

关键词

Key words

引用本文

导出引用
{{article.zuoZheCn_L}}. {{article.title_cn}}. {{journal.qiKanMingCheng_CN}}. 2021, 19(4): 6-15 https://doi.org/10.13234/j.issn.2095-2805.2021.4.6
{{article.zuoZheEn_L}}. {{article.title_en}}. {{journal.qiKanMingCheng_EN}}. 2021, 19(4): 6-15 https://doi.org/10.13234/j.issn.2095-2805.2021.4.6

参考文献

参考文献

{{article.reference}}

基金

版权

{{article.copyrightStatement_cn}}
{{article.copyrightLicense_cn}}
PDF(1496 KB)

Accesses

Citation

Detail

段落导航
相关文章

/