SiC MOSFET器件高温下最大电流导通能力评估方法

李华康, 宁圃奇 , 康玉慧, 曹瀚, 郑丹

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电源学报 ›› 2024, Vol. 22 ›› Issue (2) : 386-395. DOI: 10.13234/j.issn.2095-2805.2024.2.386
功率半导体器件

SiC MOSFET器件高温下最大电流导通能力评估方法

    {{javascript:window.custom_author_cn_index=0;}}
  • {{article.zuoZhe_CN}}
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Evaluation Method for Maximum Current Conduction Capability of SiC MOSFET Device at High Temperature

    {{javascript:window.custom_author_en_index=0;}}
  • {{article.zuoZhe_EN}}
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{{article.keyPoints_cn}}

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{{article.keyPoints_en}}

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{{article.zhaiyao_cn}}

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{{article.zhaiyao_en}}

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{{article.zuoZheCn_L}}. {{article.title_cn}}. {{journal.qiKanMingCheng_CN}}. 2024, 22(2): 386-395 https://doi.org/10.13234/j.issn.2095-2805.2024.2.386
{{article.zuoZheEn_L}}. {{article.title_en}}. {{journal.qiKanMingCheng_EN}}. 2024, 22(2): 386-395 https://doi.org/10.13234/j.issn.2095-2805.2024.2.386

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{{article.reference}}

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{{article.copyrightStatement_cn}}
{{article.copyrightLicense_cn}}
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