高温栅偏和电子辐照对SiC MOSFET阈值电压影响研究

doi:10.13234/j.issn.2095-2805.2024.6.288

PDF(5689 KB)

电源学报 ›› 2024, Vol. 22 ›› Issue (6) : 288-294. DOI: 10.13234/j.issn.2095-2805.2024.6.288

功率半导体器件

高温栅偏和电子辐照对SiC MOSFET阈值电压影响研究

{{article.zuoZhe_CN}}

作者信息 +

Study on Influence of High-temperature Gate Bias and Electron Irradiation on Threshold Voltage of SiC MOSFET

{{article.zuoZhe_EN}}

Author information +

History +

本文亮点

HeighLight

摘要

Abstract

关键词

Key words

引用本文

EndNote

Ris (Procite)

Bibtex

导出引用

{{article.zuoZheCn_L}}. {{article.title_cn}}. {{journal.qiKanMingCheng_CN}}. 2024, 22(6): 288-294 https://doi.org/10.13234/j.issn.2095-2805.2024.6.288

{{article.zuoZheEn_L}}. {{article.title_en}}. {{journal.qiKanMingCheng_EN}}. 2024, 22(6): 288-294 https://doi.org/10.13234/j.issn.2095-2805.2024.6.288

参考文献

原文顺序 | 文献年度倒序 | 文中引用次数倒序

参考文献

基金

版权

PDF(5689 KB)

Accesses

Citation

Detail

段落导航

Received	Revised	Accepted	Published
2021-12-27	2022-03-10	2022-05-19	2024-11-30
Issue Date
2024-12-23

选择文件类型/文献管理软件名称

选择包含的内容

本文亮点

HeighLight

摘要

Abstract

关键词

Key words

引用本文

{{custom_sec.title}}

{{custom_sec.title}}

参考文献

参考文献

{{custom_fnGroup.title_cn}}

脚注

{{custom_ack.title_cn}}

基金

版权