×
模态框(Modal)标题
在这里添加一些文本
关闭
关闭
提交更改
取消
确定并提交
×
模态框(Modal)标题
在这里添加一些文本
关闭
×
English
Toggle navigation
首页
关于本刊
期刊简介
期刊收录
编委会
第四届编委会
历届编委会
学术诚信
学术诚信
预防与处理学术不端行为办法
投稿指南
投稿须知
论文模板
资料下载
审稿中心
审稿指南
诚邀专家
期刊订阅
旧版网站
投稿审稿
编辑办公
抗高压动态导通电阻退化的高性能GaN功率开关器件研究
覃孟,潘革生
Research on High-performance GaN Power Switching Device Resisting High-voltage Dynamic On-resistance Degradation
QIN Meng, PAN Gesheng
电源学报 . 2021, (
5
): 158 -164 . DOI: 10.13234/j.issn.2095-2805.2021.5.158